


Kingbang melancarkan memori DDR5 8600 baharu, tersedia dalam CAMM2, LPCAMM2 dan model biasa
Jun 08, 2024 pm 01:35 PMMenurut berita dari laman web ini pada 7 Jun, GEIL melancarkan penyelesaian DDR5 terbaharunya di Pameran Komputer Antarabangsa Taipei 2024, dan menyediakan pilihan seperti SO-DIMM, CUDIMM, CSODIMM, CAMM2 dan LPCAMM2.
Seperti yang ditunjukkan dalam gambar, memori CAMM2 / LPCAMM2 yang dipamerkan oleh Jinbang menggunakan reka bentuk yang sangat padat, boleh memberikan kapasiti maksimum 128GB, dan kelajuan sehingga 8533 MT/s , sebahagian daripadanya Produk ini juga boleh overclocked secara stabil kepada 9000 MT/s pada platform AMD AM5 tanpa sebarang penyejukan tambahan.
Menurut laporan, memori siri 2024 Polaris RGB DDR5 Jinbang boleh memberikan kelajuan maksimum 8400 MT/s. Selain itu, Kingbang juga menunjukkan memori EVO V DDR5 yang dilengkapi dengan penyelesaian penyejukan dwi-kipas aktif dan memori Orion V RGB DDR5 putih, yang juga boleh memberikan kelajuan 8400 MT/s.
Selain itu, Jinbang turut menunjukkan memori DDR5 TUF Gaming Alliance yang dioptimumkan khas untuk papan induk permainan ASUS TUF dan menyokong kesan pencahayaan RGB.
Jinbang berkata bahawa memori CUDIMM / CSODIMMnya direka khas untuk desktop Arrow Lake generasi seterusnya dan CPU mudah alih Intel, yang dilengkapi dengan pemacu jam isyarat CKD untuk mengoptimumkan pengecilan dan hingar untuk meningkatkan kestabilan di samping menyediakan kadar yang lebih tinggi, menghasilkan kelajuan yang lebih pantas.
Jinbang menjangkakan produk memori baharu ini akan dilancarkan pada suku keempat 2024. Laman web ini akan memberi perhatian kepada susulan, jadi nantikan.
Bacaan berkaitan:
"Kedua-dua CAMM2 dan LPCAMM2 tersedia, Jinbang akan menyertai Pameran Komputer Antarabangsa Taipei 2024"
Atas ialah kandungan terperinci Kingbang melancarkan memori DDR5 8600 baharu, tersedia dalam CAMM2, LPCAMM2 dan model biasa. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Alat AI Hot

Undress AI Tool
Gambar buka pakaian secara percuma

Undresser.AI Undress
Apl berkuasa AI untuk mencipta foto bogel yang realistik

AI Clothes Remover
Alat AI dalam talian untuk mengeluarkan pakaian daripada foto.

Clothoff.io
Penyingkiran pakaian AI

Video Face Swap
Tukar muka dalam mana-mana video dengan mudah menggunakan alat tukar muka AI percuma kami!

Artikel Panas

Alat panas

Notepad++7.3.1
Editor kod yang mudah digunakan dan percuma

SublimeText3 versi Cina
Versi Cina, sangat mudah digunakan

Hantar Studio 13.0.1
Persekitaran pembangunan bersepadu PHP yang berkuasa

Dreamweaver CS6
Alat pembangunan web visual

SublimeText3 versi Mac
Perisian penyuntingan kod peringkat Tuhan (SublimeText3)

Untuk pemacu keras mekanikal atau pemacu keadaan pepejal SATA, anda akan merasakan peningkatan kelajuan berjalan perisian Jika ia adalah pemacu keras NVME, anda mungkin tidak merasakannya. 1. Import pendaftaran ke dalam desktop dan buat dokumen teks baharu, salin dan tampal kandungan berikut, simpannya sebagai 1.reg, kemudian klik kanan untuk menggabungkan dan memulakan semula komputer. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

Baru-baru ini, Xiaomi mengeluarkan telefon pintar mewah berkuasa tinggi Xiaomi 14Pro, yang bukan sahaja mempunyai reka bentuk yang bergaya, tetapi juga mempunyai teknologi hitam dalaman dan luaran. Telefon ini mempunyai prestasi terbaik dan keupayaan berbilang tugas yang sangat baik, membolehkan pengguna menikmati pengalaman telefon mudah alih yang pantas dan lancar. Walau bagaimanapun, prestasi juga akan dipengaruhi oleh memori Ramai pengguna ingin mengetahui cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro, jadi mari kita lihat. Bagaimana untuk menyemak penggunaan memori Xiaomi Mi 14Pro? Pengenalan kepada cara menyemak penggunaan memori Xiaomi 14Pro Buka butang [Pengurusan Aplikasi] dalam [Tetapan] telefon Xiaomi 14Pro. Untuk melihat senarai semua apl yang dipasang, semak imbas senarai dan cari apl yang ingin anda lihat, klik padanya untuk memasuki halaman butiran apl. Dalam halaman butiran permohonan

Apabila pengguna baru membeli komputer, mereka akan tertanya-tanya tentang perbezaan antara memori komputer 8g dan 16g? Perlukah saya memilih 8g atau 16g? Sebagai tindak balas kepada masalah ini, hari ini editor akan menerangkannya kepada anda secara terperinci. Adakah terdapat perbezaan besar antara 8g dan 16g memori komputer? 1. Untuk keluarga biasa atau kerja biasa, memori berjalan 8G boleh memenuhi keperluan, jadi tidak banyak perbezaan antara 8g dan 16g semasa penggunaan. 2. Apabila digunakan oleh peminat permainan, pada masa ini permainan berskala besar pada asasnya bermula pada 6g, dan 8g ialah standard minimum. Pada masa ini, apabila skrin adalah 2k, resolusi yang lebih tinggi tidak akan membawa prestasi kadar bingkai yang lebih tinggi, jadi tiada perbezaan besar antara 8g dan 16g. 3. Bagi pengguna penyuntingan audio dan video, akan terdapat perbezaan yang jelas antara 8g dan 16g.

Menurut berita dari laman web ini pada 3 September, media Korea etnews melaporkan semalam (waktu tempatan) bahawa produk memori mudah alih berstruktur "seperti HBM" SK Hynix akan dikomersialkan selepas 2026. Sumber berkata bahawa kedua-dua gergasi memori Korea menganggap memori mudah alih bertindan sebagai sumber penting hasil masa hadapan dan merancang untuk mengembangkan "memori seperti HBM" kepada telefon pintar, tablet dan komputer riba untuk membekalkan kuasa untuk AI bahagian hujung. Menurut laporan sebelumnya di laman web ini, produk Samsung Electronics dipanggil memori LPWide I/O, dan SK Hynix memanggil teknologi ini VFO. Kedua-dua syarikat telah menggunakan laluan teknikal yang hampir sama, iaitu menggabungkan pembungkusan kipas dan saluran menegak. Memori LPWide I/O Samsung Electronics mempunyai sedikit lebar 512

Menurut laporan itu, eksekutif Samsung Electronics Dae Woo Kim berkata bahawa pada Mesyuarat Tahunan Persatuan Mikroelektronik dan Pembungkusan Korea 2024, Samsung Electronics akan melengkapkan pengesahan teknologi memori HBM ikatan hibrid 16 lapisan. Dilaporkan bahawa teknologi ini telah lulus pengesahan teknikal. Laporan itu juga menyatakan bahawa pengesahan teknikal ini akan meletakkan asas untuk pembangunan pasaran memori dalam beberapa tahun akan datang. DaeWooKim berkata bahawa Samsung Electronics telah berjaya menghasilkan memori HBM3 bertindan 16 lapisan berdasarkan teknologi ikatan hibrid Sampel memori berfungsi seperti biasa Pada masa hadapan, teknologi ikatan hibrid bertindan 16 lapisan akan digunakan untuk pengeluaran besar-besaran memori HBM4. ▲Sumber imej TheElec, sama seperti di bawah Berbanding dengan proses ikatan sedia ada, ikatan hibrid tidak perlu menambah bonjolan antara lapisan memori DRAM, tetapi secara langsung menghubungkan lapisan atas dan bawah tembaga kepada kuprum.

Jika anda telah memasang RAM baharu tetapi ia tidak dipaparkan pada komputer Windows anda, artikel ini akan membantu anda menyelesaikan isu tersebut. Biasanya, kami meningkatkan prestasi sistem dengan menaik taraf RAM. Walau bagaimanapun, prestasi sistem juga bergantung pada perkakasan lain seperti CPU, SSD, dll. Menaik taraf RAM juga boleh meningkatkan pengalaman permainan anda. Sesetengah pengguna menyedari bahawa memori yang dipasang tidak muncul dalam Windows 11/10. Jika ini berlaku kepada anda, anda boleh menggunakan nasihat yang diberikan di sini. RAM yang dipasang tidak muncul pada Windows 11 Jika RAM yang dipasang tidak muncul pada PC Windows 11/10 anda, cadangan berikut akan membantu anda. Adakah memori yang dipasang serasi dengan papan induk komputer anda? dalam BIO

Jika penggunaan memori pelayar Edge terlalu tinggi, ia boleh menyebabkan sistem berjalan perlahan atau tidak stabil Ini membuatkan ramai pengguna bertanya apa yang perlu dilakukan jika penggunaan memori pelayar Edge terlalu tinggi. Biarkan laman web ini memperkenalkan dengan teliti kepada pengguna cara menyelesaikan masalah penggunaan memori berlebihan pelayar Edge. Cara menyelesaikan penggunaan memori yang tinggi bagi penyemak imbas Edge 1. Tutup tab yang tidak diperlukan: Jika anda mempunyai berbilang tab terbuka pada masa yang sama, sila cuba tutup beberapa tab yang tidak diperlukan, terutamanya yang mempunyai tapak web atau aplikasi penggunaan sumber yang tinggi. 2. Lumpuhkan atau alih keluar sambungan yang tidak diperlukan: Sesetengah sambungan mungkin meningkatkan penggunaan memori pelayar Edge. Sila pertimbangkan untuk melumpuhkan atau mengalih keluar beberapa yang jarang digunakan atau tidak diperlukan

Menurut berita dari laman web ini pada 21 Mac, Micron mengadakan panggilan persidangan selepas mengeluarkan laporan kewangan suku tahunannya. Pada persidangan itu, Ketua Pegawai Eksekutif Micron Sanjay Mehrotra berkata berbanding memori tradisional, HBM menggunakan lebih banyak wafer. Micron berkata bahawa apabila menghasilkan kapasiti yang sama pada nod yang sama, memori HBM3E yang paling canggih semasa menggunakan wafer tiga kali lebih banyak daripada DDR5 standard, dan dijangka apabila prestasi bertambah baik dan kerumitan pembungkusan semakin meningkat, pada masa hadapan HBM4 Nisbah ini akan terus meningkat. . Merujuk kepada laporan terdahulu di laman web ini, nisbah yang tinggi ini sebahagiannya disebabkan oleh kadar hasil HBM yang rendah. Memori HBM disusun dengan sambungan TSV memori DRAM berbilang lapisan Masalah dengan satu lapisan bermakna keseluruhannya
