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AI 潮影響明顯,TrendForce 上修本季度 DRAM 內(nèi)存、NAND 閃存合約價漲幅預(yù)測

May 07, 2024 pm 09:58 PM
內(nèi)存 dram 閃存 內(nèi)存占用 nand 集邦咨詢

根據(jù)TrendForce的調(diào)查報告顯示,AI浪潮對DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場帶來明顯影響。在本站5月7日消息中,TrendForce集邦咨詢在今日的最新研報中稱該機(jī)構(gòu)調(diào)升本季度兩類存儲產(chǎn)品的合約價格漲幅。

具體而言,TrendForce 原先預(yù)估 2024 年二季度 DRAM 內(nèi)存合約價上漲 3~8%,現(xiàn)估計為 13~18%;

而在 NAND 閃存方面,原預(yù)估上漲 13~18%,新預(yù)估為 15~20%,僅 eMMC / UFS 漲幅較低,為 10%。

AI 潮影響明顯,TrendForce 上修本季度 DRAM 內(nèi)存、NAND 閃存合約價漲幅預(yù)測
▲ 圖源?TrendForce 集邦咨詢

TrendForce 表示,該機(jī)構(gòu)原預(yù)計在連續(xù)兩三個季度的漲價后,DRAM 內(nèi)存、NAND 閃存需求方接受大幅漲價的意愿不強(qiáng)。

但來到四月下旬,存儲業(yè)者完成臺灣地區(qū)地震后首輪合約價議價,漲幅相較預(yù)期擴(kuò)大。究其原因,除買方意欲支撐手中庫存價格外,影響更大的是 AI 熱潮對存儲業(yè)供需雙方帶來了心理上的轉(zhuǎn)變

在 DRAM 市場方面,存儲原廠擔(dān)憂 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能的放量將進(jìn)一步排擠傳統(tǒng)內(nèi)存的供給:

根據(jù)本網(wǎng)站早前報道,美光表示HBM3E內(nèi)存的晶圓量消耗3倍于傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存;研報中稱,到2024年底三星電子1αnm制程整體DRAM產(chǎn)能的約六成將由HBM3E內(nèi)存占用。

需求方在評估后,轉(zhuǎn)而考慮在二季度提前為 DRAM 內(nèi)存進(jìn)行備貨,應(yīng)對三季度起 HBM 內(nèi)存產(chǎn)量提升帶來的供應(yīng)緊張局勢。

而在 NAND 閃存產(chǎn)品上,節(jié)能成為 AI 推理服務(wù)器的優(yōu)先考量,北美云服務(wù)業(yè)者擴(kuò)大對 QLC 企業(yè)級固態(tài)硬盤的采用。閃存產(chǎn)品庫存加速下降,在此背景下部分供應(yīng)方出現(xiàn)了惜售心態(tài)

不過研報中也提到,受限于消費(fèi)級產(chǎn)品需求復(fù)蘇情況尚不明朗,存儲原廠對非 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能的資本支出仍趨于保守,尤其是仍處于損益平衡點(diǎn)的 DRAM 閃存。

以上是AI 潮影響明顯,TrendForce 上修本季度 DRAM 內(nèi)存、NAND 閃存合約價漲幅預(yù)測的詳細(xì)內(nèi)容。更多信息請關(guān)注PHP中文網(wǎng)其他相關(guān)文章!

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