Une introduction approfondie à la zone de données de la mémoire JVM
Nov 25, 2019 pm 04:08 PM
Les programmes JAVA s'exécutent sur des machines virtuelles et nécessitent de l'espace mémoire lors de leur exécution. Lorsque la machine virtuelle exécute le programme JAVA, la mémoire qu'elle gère sera divisée en différentes zones de données pour une gestion facile. La zone de données de la mémoire de gestion des machines virtuelles est divisée comme suit?:
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1. Registre du compteur de programme
Indicateur de numéro de ligne, branchement, boucle, saut, gestion des exceptions, récupération de thread (commutation CPU) des instructions de bytecode, chaque thread nécessite un indépendant Le compteur et la mémoire privée du thread ne le font pas s’influencent mutuellement et aucune exception de débordement de mémoire ne se produira dans cette zone.
2. Pile de machines virtuelles (VM Stack)
La pile de machines virtuelles (VM Stack) est privée au thread. Le cycle de déclaration est le même que le thread. . La pile de machines virtuelles est un modèle de mémoire Java pour l'exécution de la méthode. Lorsque chaque méthode est exécutée, un cadre de pile est créé, qui constitue la structure de données de base lors de l'exécution de la méthode.
Le cadre de pile est utilisé pour stocker : table de variables locales, pile d'opérandes, lien dynamique, sortie de méthode, etc. Chaque exécution de méthode correspond au processus de cadre de pile de machine virtuelle de pile en pile. Il s'agit d'une structure de données, une table de variables locales dans la machine virtuelle, correspondant au modèle de données du programme au-dessus de la couche physique.
La table de variables locales est un programme exécutant un modèle de données qui stocke divers types de données connus lors de la compilation, tels que?:
Boolean, byte, char, short, int, float, long, Double, object type de référence (variable d’adresse mémoire objet, pointeur ou handle). Lorsque le programme est en cours d'exécution, la taille de l'espace du cadre de pile est allouée en fonction de la table des variables locales. Pendant le fonctionnement, la taille reste inchangée. Type d'exception?: stackOverFlowError. La profondeur de la pile de requêtes de thread est supérieure à la profondeur autorisée de la machine virtuelle OutOfMemory L'espace mémoire est épuisé et ne peut pas être étendu.
3. Pile de méthodes natives
Semblable à la pile de machines virtuelles, la pile de machines virtuelles sert les programmes Java et la pile de méthodes natives prend en charge l'exécution de la machine virtuelle. La mise en ?uvre spécifique du service est déterminée par le fabricant de la machine virtuelle et générera également des exceptions stackOverFlowError et OutOfMemory.
4. Heap
Le tas est la plus grande partie de la mémoire gérée par la machine virtuelle. Elle est partagée par tous les threads et est utilisée pour stocker des instances d'objets (objets). ), tableau), espace mémoire physiquement discontinu. Puisque le collecteur GC collecte en générations, il est divisé en : Eden de nouvelle génération, De l'espace SurVivor, à l'espace SurVivor, allouer un tampon (espace d'allocation), qui peut être divisé en plusieurs Threads. -tampon privé, ancienne génération.
5. Zone de méthode
La zone de méthode, comme la zone de tas, est une zone de mémoire partagée par les threads et est utilisée pour stocker les données chargées par la classe de machine virtuelle. informations, constantes, variables statiques, code compilé par le compilateur juste à temps (OSGI chargé dynamiquement) et autres données. Théoriquement, il fait partie de la machine virtuelle Java. Pour le distinguer, il est appelé Non-Heap.
Vous pouvez choisir de ne pas effectuer de garbage collection dans cette zone. Le but du recyclage dans cette zone est principalement de recycler le pool constant et de désinstaller les classes. Lorsque la zone mémoire est insuffisante, une exception OutOfMemory sera levée.
Pool de constantes d'exécution?: partie de la zone de méthode, versions de classe, champs, interfaces, méthodes, etc., ainsi que divers littéraux et références de symboles générés lors de la compilation, qui sont stockés dans cette zone après la classe compilée est chargé. L'exception OutOfMemory sera levée.
6. Mémoire directe
La mémoire directe n'appartient pas à la zone de mémoire virtuelle. Il s'agit d'une méthode IO basée sur des canaux et des tampons. allouez directement de la mémoire hors tas, stockez l'adresse de mémoire externe référencée dans le tas et terminez le fonctionnement de la mémoire directement référencée via des références. Le NIO fourni après la version 1.4 améliore considérablement l'efficacité et évite l'opération de copie aller-retour entre la mémoire du tas et. La mémoire native, non contr?lée par la mémoire de la machine virtuelle, lèvera une exception OUTOfMemory.
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Optimisation importante de la mémoire, que dois-je faire si l'ordinateur passe à une vitesse de mémoire de 16 Go/32 Go et qu'il n'y a aucun changement ?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Pour les disques durs mécaniques ou les disques SSD SATA, vous ressentirez l'augmentation de la vitesse d'exécution du logiciel. S'il s'agit d'un disque dur NVME, vous ne la ressentirez peut-être pas. 1. Importez le registre sur le bureau et créez un nouveau document texte, copiez et collez le contenu suivant, enregistrez-le sous 1.reg, puis cliquez avec le bouton droit pour fusionner et redémarrer l'ordinateur. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Des sources affirment que Samsung Electronics et SK Hynix commercialiseront de la mémoire mobile empilée après 2026
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée ? de type HBM ? de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la ? mémoire de type HBM ? aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.
Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4.
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. à l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.
Kingbang lance une nouvelle mémoire DDR5 8600, disponible en CAMM2, LPCAMM2 et modèles standards
Jun 08, 2024 pm 01:35 PM
Selon les informations de ce site le 7 juin, GEIL a lancé sa dernière solution DDR5 au Salon international de l'informatique de Taipei 2024 et a proposé les versions SO-DIMM, CUDIMM, CSODIMM, CAMM2 et LPCAMM2. ▲ Source de l'image : Wccftech Comme le montre l'image, la mémoire CAMM2/LPCAMM2 présentée par Jinbang adopte un design très compact, peut fournir une capacité maximale de 128 Go et une vitesse allant jusqu'à 8533 MT/s. Certains de ces produits peuvent même l'être. stable sur la plateforme AMDAM5 Overclocké à 9000MT/s sans aucun refroidissement auxiliaire. Selon les rapports, la mémoire de la série Polaris RGBDDR5 2024 de Jinbang peut fournir jusqu'à 8 400
Lexar lance le kit de mémoire Ares Wings of War DDR5 7600 16 Go x2?: particules Hynix A-die, 1?299 yuans
May 07, 2024 am 08:13 AM
Selon les informations de ce site Web le 6 mai, Lexar a lancé la mémoire d'overclocking DDR57600CL36 de la série Ares Wings of War. L'ensemble de 16 Go x 2 sera disponible en prévente à 00h00 le 7 mai avec un dép?t de 50 yuans, et le prix est de 50 yuans. 1?299 yuans. La mémoire Lexar Wings of War utilise des puces mémoire Hynix A-die, prend en charge Intel XMP3.0 et fournit les deux préréglages d'overclocking suivants?: 7600MT/s : CL36-46-46-961.4V8000MT/s : CL38-48-49 -1001.45V En termes de dissipation thermique, cet ensemble de mémoire est équipé d'un gilet de dissipation thermique tout en aluminium de 1,8 mm d'épaisseur et est équipé du tampon de graisse en silicone thermoconducteur exclusif de PMIC. La mémoire utilise 8 perles LED haute luminosité et prend en charge 13 modes d'éclairage RVB.
L'impact de la vague de l'IA est évident. TrendForce a révisé à la hausse ses prévisions d'augmentation des prix des contrats de mémoire DRAM et de mémoire flash NAND ce trimestre.
May 07, 2024 pm 09:58 PM
Selon un rapport d'enquête TrendForce, la vague de l'IA a un impact significatif sur les marchés de la mémoire DRAM et de la mémoire flash NAND. Dans l'actualité de ce site du 7 mai, TrendForce a déclaré aujourd'hui dans son dernier rapport de recherche que l'agence avait augmenté les augmentations de prix contractuels pour deux types de produits de stockage ce trimestre. Plus précisément, TrendForce avait initialement estimé que le prix du contrat de mémoire DRAM au deuxième trimestre 2024 augmenterait de 3 à 8 %, et l'estime désormais à 13 à 18 % en termes de mémoire flash NAND, l'estimation initiale augmentera de 13 à 8 % ; 18 %, et la nouvelle estimation est de 15 % ~ 20 %, seul eMMC/UFS a une augmentation inférieure de 10 %. ▲Source de l'image TrendForce TrendForce a déclaré que l'agence prévoyait initialement de continuer à
Galerie de photos de la mémoire Lexar God of War Wings ARES RGB DDR5 8000?: Les ailes blanches colorées prennent en charge le RVB
Jun 25, 2024 pm 01:51 PM
Alors que les prix des mémoires phares UHF telles que 7?600 MT/s et 8?000 MT/s sont généralement élevés, Lexar a pris des mesures et a lancé une nouvelle série de mémoires appelée Ares Wings ARES RGB DDR5, avec 7?600 C36 et 8?000 C38 disponibles en deux spécifications. Les ensembles de 16 Go*2 co?tent respectivement 1?299 yuans et 1?499 yuans, ce qui est très rentable. Ce site s'est procuré la version 8000 C38 de Wings of War, et vous apportera ses photos du déballage. L'emballage de la mémoire Lexar Wings ARES RGB DDR5 est bien con?u, utilisant des couleurs noir et rouge accrocheuses avec une impression colorée. Il y a un &quo exclusif dans le coin supérieur gauche de l'emballage.
Les spécifications des mémoires DDR5 MRDIMM et LPDDR6 CAMM sont prêtes à être lancées, JEDEC publie des détails techniques clés
Jul 23, 2024 pm 02:25 PM
Selon les informations de ce site Web du 23 juillet, la JEDEC Solid State Technology Association, l'organisme de normalisation de la microélectronique, a annoncé le 22, heure locale, que les spécifications techniques des mémoires DDR5MRDIMM et LPDDR6CAMM seraient bient?t officiellement lancées et a présenté les détails clés de ces deux souvenirs. Le ??MR?? dans DDR5MRDIMM signifie MultiplexedRank, ce qui signifie que la mémoire prend en charge deux rangs ou plus et peut combiner et transmettre plusieurs signaux de données sur un seul canal sans connexion physique supplémentaire. La connexion peut effectivement augmenter la bande passante. JEDEC a prévu plusieurs générations de mémoire DDR5MRDIMM, dans le but d'augmenter à terme sa bande passante à 12,8 Gbit/s, contre 6,4 Gbit/s actuellement pour la mémoire DDR5RDIMM.
