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未來(lái)存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)峰會(huì)(Future Memory and Storage)簡(jiǎn)介
新產(chǎn)品
演講
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SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關(guān)新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等

Aug 01, 2024 pm 09:40 PM
人工智能 海力士

本站 8 月 1 日消息,SK 海力士今天(8 月 1 日)發(fā)布博文,宣布將出席 8 月 6 日至 8 日,在美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉舉行的全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器峰會(huì) FMS 2024,展示諸多新一代產(chǎn)品。

未來(lái)存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)峰會(huì)(Future Memory and Storage)簡(jiǎn)介

前身是主要面向 NAND 供應(yīng)商的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),在人工智能技術(shù)日益受到關(guān)注的背景下,今年重新命名為未來(lái)存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)峰會(huì)(Future Memory and Storage),以邀請(qǐng) DRAM 和存儲(chǔ)供應(yīng)商等更多參與者。

新產(chǎn)品

SK 海力士去年在 FMS 活動(dòng)中宣布開發(fā)出業(yè)界最高的 321 層 NAND,今年也將展示諸多 AI 領(lǐng)域的新產(chǎn)品,包括 12 層 HBM3E(預(yù)計(jì)在第三季度量產(chǎn))和 321-high NAND(明年上半年開始出貨)。本站附上 SK海力士即將展示的新產(chǎn)品如下:

SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關(guān)新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等

從左上開始,順時(shí)針依次為 321 層 NAND 閃存、ZUFS 4.0、PS1010 和 PCB01

SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關(guān)新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等

從左上開始,順時(shí)針依次為 LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AiM

演講

SK hynix HBM 工藝集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 將在活動(dòng)開幕式上發(fā)表題為《人工智能時(shí)代的 AI 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)力與愿景》的主題演講。

兩位高管將分別介紹公司的 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品組合,以及為實(shí)現(xiàn)人工智能而優(yōu)化的人工智能內(nèi)存解決方案。

以上是SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關(guān)新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等的詳細(xì)內(nèi)容。更多信息請(qǐng)關(guān)注PHP中文網(wǎng)其他相關(guān)文章!

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本站 6 月 24 日消息,韓媒 BusinessKorea 報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美國(guó)夏威夷舉行的 VLSI 2024 峰會(huì)上發(fā)表了有關(guān) 3D DRAM 技術(shù)的最新研究論文。在這篇論文中,SK 海力士報(bào)告其五層堆疊的 3D DRAM 內(nèi)存良率已達(dá) 56.1%,實(shí)驗(yàn)中的 3D DRAM 展現(xiàn)出與目前 2D DRAM 相似的特性。據(jù)介紹,與傳統(tǒng)的 DRAM 水平排列內(nèi)存單元不同,3D DRAM 垂直堆疊單元,可以在相同空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的密度。不過(guò),SK海力士

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